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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
67
左右 75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
67
读取速度,GB/s
22.8
16.0
写入速度,GB/s
15.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2030
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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