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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
40
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
40
读取速度,GB/s
22.8
13.7
写入速度,GB/s
15.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2362
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
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