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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
75
左右 1% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
75
读取速度,GB/s
4,178.4
15.2
写入速度,GB/s
2,201.1
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1660
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
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