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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB

总分
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

总分
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Kingston HX316C10F/4 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    17 left arrow 67
    左右 75% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    22.8 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.4 left arrow 5.0
    测试中的平均数值
Kingston HX316C10F/4 4GB 需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/4 4GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    17 left arrow 67
  • 读取速度，GB/s
    22.8 left arrow 6.3
  • 写入速度，GB/s
    15.4 left arrow 5.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3391 left arrow 1247

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Kingston HX316C10F/4 4GB RAM的比较

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
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