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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
8.1
17.3
写入速度,GB/s
7.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2665
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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