Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 63
    Около -85% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.1 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 12.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1945 left arrow 2665
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения