RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2665
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link