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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
26
读取速度,GB/s
22.8
14.2
写入速度,GB/s
15.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2890
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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