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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
36
读取速度,GB/s
22.8
13.7
写入速度,GB/s
15.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2504
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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