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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
5,082.2
14.6
写入速度,GB/s
2,381.6
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2199
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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