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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
16.5
写入速度,GB/s
15.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3506
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
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