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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
25
读取速度,GB/s
22.8
16.8
写入速度,GB/s
15.4
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2989
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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