RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
25
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2989
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link