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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
48
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
48
读取速度,GB/s
22.8
17.5
写入速度,GB/s
15.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2196
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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