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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

总分
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    17 left arrow 22
    左右 23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    22.8 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.4 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    17 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    22.8 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    15.4 left arrow 6.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3391 left arrow 2272

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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内存RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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内存RAM
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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