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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
54
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
54
读取速度,GB/s
22.8
10.4
写入速度,GB/s
15.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2259
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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