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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
24
读取速度,GB/s
22.8
15.8
写入速度,GB/s
15.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2761
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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