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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
55
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
55
读取速度,GB/s
22.8
19.0
写入速度,GB/s
15.4
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2239
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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