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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
11.7
10.0
写入速度,GB/s
7.2
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2575
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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