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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
17.3
写入速度,GB/s
15.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2762
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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