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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
15.4
写入速度,GB/s
15.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2739
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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