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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
11.8
写入速度,GB/s
15.4
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1984
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
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