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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
10.8
写入速度,GB/s
15.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2618
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB RAM的比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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