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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.6
10.8
写入速度,GB/s
7.2
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2618
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB RAM的比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
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