RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
15.3
15.7
写入速度,GB/s
9.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2776
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link