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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
9.3
写入速度,GB/s
15.4
6.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1493
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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