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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
35
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
35
读取速度,GB/s
22.8
15.5
写入速度,GB/s
15.4
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2822
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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