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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
15.9
写入速度,GB/s
15.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2240
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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