Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

总分
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

总分
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    17 left arrow 58
    左右 71% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    22.8 left arrow 17.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.4 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    17 left arrow 58
  • 读取速度,GB/s
    22.8 left arrow 17.7
  • 写入速度,GB/s
    15.4 left arrow 9.3
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3391 left arrow 1968
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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