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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Super Talent F21UB8GS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
22
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F21UB8GS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
22
读取速度,GB/s
22.8
14.0
写入速度,GB/s
15.4
7.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2200
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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