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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
53
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
53
读取速度,GB/s
22.8
20.0
写入速度,GB/s
15.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2366
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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