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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
11.7
19.1
写入速度,GB/s
7.2
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3040
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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