RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3040
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link