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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
差异
规格
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
40
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
18
读取速度,GB/s
14.5
21.1
写入速度,GB/s
9.2
16.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2509
3286
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
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