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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
14.5
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2620
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
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