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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
14.0
21.4
写入速度,GB/s
9.0
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3448
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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