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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
23
读取速度,GB/s
14.0
18.0
写入速度,GB/s
9.0
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3070
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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