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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
差异
规格
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
20
读取速度,GB/s
14.0
19.4
写入速度,GB/s
9.0
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3509
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
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