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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
14.0
19.2
写入速度,GB/s
9.0
15.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3698
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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