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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
14.0
17.8
写入速度,GB/s
9.0
15.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3593
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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