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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
66
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
66
读取速度,GB/s
14.0
12.0
写入速度,GB/s
9.0
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
1909
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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