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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
26
读取速度,GB/s
14.0
15.6
写入速度,GB/s
9.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2783
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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