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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
14.0
13.8
写入速度,GB/s
9.0
10.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2363
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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