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Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

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Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 33
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 10.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    16.0 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    10.8 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2855 left arrow 3223

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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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