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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905678-028.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
4,806.8
15.9
写入速度,GB/s
2,784.6
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2725
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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