RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2725
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link