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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
11.4
16.2
写入速度,GB/s
7.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2909
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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