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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
19.5
写入速度,GB/s
7.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3572
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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