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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
11.4
16.4
写入速度,GB/s
7.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3521
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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