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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
16.6
写入速度,GB/s
7.4
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3629
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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