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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
17.5
写入速度,GB/s
7.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3324
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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